AGF电阻式SiC长晶炉适用于6/8英寸导电和高纯半绝缘型SiC晶体生长，多加热器设计允许灵活的工艺和热场设置，下装载结构可实现便捷的开装炉及维护操作，同时设备拥有高精度控温、控压能力，工艺性能稳定优良。
设备特点
•适用于6、8英寸，导电/高纯半绝缘型SiC晶体生长
•4组加热器独立控制，灵活的温场调节能力
•坩埚系统具备升降、旋转功能，温场更均匀
•下装载，上维护，操作便捷
产品应用
•晶体尺寸：6、8 英寸
•适用材料：碳化硅
•适用工艺：物理气相输运法(PVT法)
•适用领域：化合物半导体、科研、衬底材料
•加热方式：电阻加热