Hesper TO230R 12英寸单片减压原位湿法氧化系统适用于集成电路、功率半导体、衬底材料、科研等领域，单腔或多腔多种设计，可满足不同客户需求，低拥有成本和低运营成本。
设备特点
•16区加热设计,温场均匀性优
•单腔/多腔多种设计，可满足不同客户需求
•低拥有成本、低运营成本
•友好的人机交互和安全性设计保障系统稳定、安全、高效
产品应用
•晶圆尺寸：12英寸
•适用材料：二氧化硅
•适用工艺：湿法氧化、减压Spike
•适用领域：集成电路、功率半导体、衬底材料、科研领域
Hesper TO230R 12英寸单片减压原位湿法氧化系统