THEORIS A302立式退火炉在中低温条件下，通入N₂、H₂或D₂等气体，以消除硅片界面处金属及非金属晶格缺陷和晶格损伤，优化硅片界面质量，提升器件良率。该系统具备高精度的温度控制系统、良好的金属控制能力、高稳定的传输系统以及安全的特气处理装置，兼顾了良好的工艺指标、高产能和安全可靠性。
设备特点
•先进的压力控制系统
•高精度温度场控制技术
•先进的颗粒控制技术
•可靠的氢气工艺能力技术
•大产能
产品应用
•晶圆尺寸：12英寸
•适用材料：硅
•适用工艺：低温常/低压工艺、合金、金属/非金属退火、薄片退火
•适用领域：集成电路、先进封装、功率半导体、硅基微型显示