单腔型原子层沉积ALD系统主打科研研发与中小规模量产场景，可覆盖 4 英寸至 12 英寸衬底的高精度纳米薄膜沉积需求，是国内 ALD 设备领域的主流选型之一。
该系统基于经典热型原子层沉积技术，核心原理是通过交替脉冲通入前驱体与反应气体，利用表面自限制化学反应实现单原子层级别的精确生长。采用单腔横流模式设计，既能让前驱体与衬底表面充分接触、反应，又能通过高效吹扫（Purge）流程快速清除腔体内残余反应物，从根源上保证沉积薄膜的高均匀性、高保形性，尤其适配三维复杂结构、高纵深比材料的涂层需求。
产品特点：
• 高精度控制：全流程温度控制精度达 ±1℃，包括衬底加热、管路加热和前驱体容器加热，确保工艺稳定性
• 灵活配置：支持多种真空方案、前驱体类型和衬底尺寸，可选配臭氧发生器、粉末沉积盘、手套箱耦合、QCM 膜厚监控等
• 高效工艺：提供快速模式、全暴露模式和多掺杂模式，支持 “一键沉积” 自动化操作
• 安全可靠：反应腔自动充气和过压保护，真空系统配备热阱防止前驱体污染，尾气处理可选配