PlasmaPro 80 RIE反应离子刻蚀设备是一种结构紧凑、小尺寸且使用方便的直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置，便于使用，且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是研究和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高质量的工艺。
直开式设计允许快速装卸晶圆
出色的刻蚀控制和速率测定
出色的晶圆温度均匀性
晶圆最大可达200mm
购置成本低
符合半导体行业 S2 / S8标准
PlasmaPro 80 RIE反应离子刻蚀设备特点：
小型系统 —— 易于安置
优化的电极冷却系统 —— 衬底温度控制
高导通的径向（轴对称）抽气结构 —— 确保能提升工艺均匀性和速率
增加<500毫秒的数据记录功能 —— 可追溯腔室和工艺条件的历史记录
近距离耦合涡轮泵 —— 抽速高迅速达到所要求的低真空度
关键部件容易触及 ——系统维护变得直接简单
X20控制系统——大幅提高了数据信息处理能力， 并且可以实现更快更可重复的匹配
通过前端软件进行设备故障诊断 —— 故障诊断速度快
用干涉法进行激光终点监测 —— 在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 （例如硅上的氧化物），或者用反射法来确定非透明材料（如金属）的边界
用发射光谱（OES）实现较大样品或批量工艺的终点监测 —— 监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化，以及用于腔室清洗的终点监测