凭借在蚀刻GaN，SiC和蓝宝石等材料方面的丰富经验，我们的技术既能够满足性价比的要求、又能使器件的性能得到更优化。
PlasmaPro 100 Polaris ICP等离子刻蚀设备为得到更为优秀的刻蚀效果提供了智能解决方案，使您在行业中能保持竞争优势。
高效的刻蚀速率
低购置成本
专为腐蚀性的化学成分而设计
出色的刻蚀均匀性
适用于蓝宝石的静电压盘技术
蓝宝石和硅上的GaN
高导通抽气系统
可与其它PlasmaPro系统集成
PlasmaPro 100 Polaris ICP等离子刻蚀设备为得到更为优秀的刻蚀效果提供了智能解决方案，使您在行业中能保持竞争优势。
主动冷却电极 – 在刻蚀过程中保持样品温度
高功率ICP源 – 产生高密度等离子体
可靠的硬件且易于维护 – 可保持长时间正常运转
磁场垫环 – 增强离子的控制和均匀性
静电压盘技术 – 适用于蓝宝石，以及蓝宝石和硅基的GaN
加热的腔室内衬 – 优化以减少腔壁沉积
优良的自动匹配单元（AMU） – 提供快速，高效和准确的匹配，确保工艺的高度精准重复性