PlasmaPro 100 Estrelas深硅刻蚀设备旨在提供深硅蚀刻（DSiE）领域的灵活性以满足微电子机械系统（MEMS）、 优良封装以及纳米技术市场的各种工艺要求。考虑到研究和生产的市场发展，PlasmaPro 100 Estrelas 提供了更加出色的工艺灵活性。
光滑侧壁工艺
高刻蚀速率腔刻蚀
高深宽比工艺
锥形通孔刻蚀
广泛的应用领域
机械或静电压盘
加热内衬
改善重复性
延长了两次清洗间的平均时间间隔（MTBC）
PlasmaPro 100 Estrelas深硅刻蚀设备特点
硬件设计使同一腔室中可进行Bosch™和超低温刻蚀工艺，使得纳米和微米结构刻蚀均可实现。
兼容50mm至200mm的衬底 – 确保您只需一台系统，便具备从研发器件到量产的能力
自动匹配 – 拥有工艺灵活性
更高流量的质量流量计以及等离子发生器 – 自由基密度更高
减小的腔体尺寸和高效率的泵 – 确保气体高速流通
快速近距离耦合质量流量计 – 快速控制（初始为ALD而开发）