APS系列长晶炉适用于6/8英寸导电和高纯半绝缘型SiC晶体生长，创新的结构设计，可提供高纯材料生长能力，拥有高精度的控温、控压能力，工艺性能优良，设备一致性好，具有丰富的量产经验。
设备特点
•适用于6、8英寸，导电/高纯半绝缘型SiC晶体生长
•专业的结构设计，提供高纯材料生长能力
•适于长时/高温/低压工艺，拓宽高质量/大规模晶体生长窗口
•包含多款辅助设备，大产能原料合成炉、晶锭退火炉、AIN长晶炉及其他
产品应用
•晶圆尺寸：6、8英寸
•适用材料：碳化硅、氮化铝
•适用工艺：物理气相输运法(PVT法)
•适用领域：化合物半导体、衬底材料、科研领域
•加热方式：感应加热