HMF-MBE-200 强磁场MBE外延系统配置不同类型的蒸发源，适用于强磁场下多种材料体系研究，可生长金属、磁性薄膜及半导体异质结，适合互联多种原位量测系统。同时系统操作简单，模块化腔室构型，方便日常维护保养。
HMF-MBE-200 强磁场MBE外延系统特点：
• 集成无液氦强磁场超导磁铁
• 可实现室温强磁场条件下分子束外延生长
• 生长源部件：3xDN40CF（强磁场下生长铁磁材料）、2xDN40CF（生长常规金属）、1xDN40CF（射频等离子源）
技术参数
| HMF-MBE-200 | 模块描述 | 配置参数 | |
| 生长室 | 腔体 | 腔体材料 | SS316 |
| 腔体尺寸 | 200mm I.D | ||
| 烘烤温度 | Max.200℃ | ||
| 本底真空 | < 5×10-10 mbar | ||
| 抽气系统 | 300L/s分子泵+10m3/h机械泵 | ||
| 真空测量系统 | 离子规+Pirani规 | ||
| 离子泵 | 选配 | ||
| 样品架 | 样品尺寸 | Flag-type样品托 | |
| 衬底加热方式 | 辐射加热 | ||
| 衬底加热器温度 | 1200K | ||
| 部件 | 蒸发源配置 | 6xDN40CF | |
| 独立的蒸发源挡板 | 气动驱动 | ||
| QCM | 选配 | ||
| Ion Source | 选配 | ||
| RGA | 选配 | ||
| 超导磁体 | 磁体类型 | 干式/GM制冷 | |
| 磁体环境 | 室温腔体 | ||
| 腔体内径 | 105mm | ||
| 磁场强度 | ±9T | ||
| 磁场均匀性 | <0.1% | ||
| 快速进样室 | 腔体 | 腔体材料 | SS316 |
| 烘烤温度 | Max.200℃ | ||
| 本底真空 | <5×10-8 mbar | ||
| 抽气系统 | 80L/s分子泵+10m3/h机械泵 | ||
| 真空测量系统 | 全量程规 | ||
| 部件 | 样品停放台 | 6或12工位 | |
| 传样杆 | CF35/600mm | ||
| 机械手 | CF35/150mm | ||
| 系统集成及控制 | GUIDE软件 | 标配 | |
| 烘烤系统 | 标配 | ||
| 系统支架 | 标配 | ||
| 真空照明系统 | 选配 | ||
| 等离子清洗 | 选配 | ||
| CCD相机 | 选配 | ||