
NMC 508C/G为高密度等离子体刻蚀机,适用6/8英寸多晶硅、硅等干法刻蚀工艺。具备良好的形貌控制能力、高刻蚀速率、高刻蚀均匀性、低颗粒/缺陷等性能优势。该机台为多腔室集群设备,可全自动并行工艺,易维护、性能稳定、产能高、客户拥有成本低 。已广泛量产应用于集成电路、化合物半导体、功率半导体、科研等领域的前道关键工艺。
设备特点
•精准的关键尺寸以及形貌,控制能力并具备多种工艺均匀性调节技术
•定制化的软件配置
•量产性能卓越,工艺表现优秀,适用领域广泛
•WPH高,维护成本低
产品应用
•晶圆尺寸:6/8英寸兼容
•适用材料:硅
•适用工艺:多晶硅刻蚀、硅刻蚀、多晶硅栅极刻蚀、浅槽隔离刻蚀等
•适用领域:集成电路、化合物半导体、功率半导体、科研领域
