NMC 508RIE为电容耦合等离子体干法刻蚀机，适用6/8英寸介质层刻蚀工艺，具有高刻蚀速率和均匀性，工艺类型覆盖前道和后道所有介质刻蚀。该机台为多腔室集群设备，可全自动并行工艺、易维护、性能稳定、产能高、客户拥有成本低。
设备特点
•多频CCP模式，工艺窗口不
•高刻蚀速率和高刻蚀均匀性
•低拥有成本、低运营成本
产品应用
•晶圆尺寸：6/8 英寸兼容
•适用材料：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅
•适应工艺：钝化层、硬掩膜、接触孔、导线孔、侧衬、自对准、回刻等刻蚀
•适用领域：集成电路、化合物半导体、功率半导体、科研领域