等离子体增强化学气相沉积系统（PECVD）面向半导体、光电器件及功能薄膜制备需求开发，采用等离子体增强化学气相沉积技术，可在较低温度条件下实现高质量薄膜沉积。设备兼顾薄膜均匀性、工艺重复性与运行稳定性，适用于科研开发、中试验证及小批量工艺应用。系统采用真空模组、工艺模组与控制模组一体化设计，并预留后续扩展接口，可根据需求选配OES在线监测模组。
产品优势
• 低温沉积：适合多种基片与器件结构
• 高重复性：薄膜均匀性好，工艺稳定
• 8英寸兼容：标准8英寸晶圆，可兼容2-6英寸基板
• RF PECVD：13.56MHz，最大功率1000W
• 模块化扩展：支持 OES 在线监测及接口扩展
• 自动化控制：支持配方管理、日志记录与远程维护