GENxplor R&D MBE分子束外延系统

GENxplor R&D MBE分子束外延系统是一款面向化合物半导体研发市场的集成式分子束外延设备,以紧凑单框架设计和高工艺灵活性著称,适用于多种前沿材料的原子级精确生长研究。

GENxplor R&D MBE分子束外延系统因化合物半导体制造获得CSindustry奖,采用Veeco经过验证的3英寸生长室设计,具备优秀的工艺灵活性——非常适合新兴技术如紫外LED电光、高效太阳能电池和高温超导体的材料研究。其高效的单帧设计将所有真空硬件与板载电子设备结合,使其比其他MBE系统小多达40%,节省宝贵的实验室空间。由于手动系统集成在单一画框上,安装时间得以缩短。GENxplor的开放架构设计还提升了易用性,便于访问喷液单元,并使维护性比其他MBE系统更为便捷。

• 高质量外延层,基底直径不超过3英寸
• E型温度加热器(>1850°C)
• 独特的单帧架构提升了易用性,提供了便捷的源访问和更高的服务可用性
• 高效的一体化设计将手动系统与车载电子设备结合,相比其他MBE系统节省40%的实验室空间
• 非常适合对多种材料进行前沿研究,包括砷化镓、氮化物和氧化物
• Molly®软件集成了简便的配方编写、自动生长控制和始终在线的数据记录
• 可选配Nova™超高温基底加热器,性能测试1850°
• 可直接扩展到 GEN20™、GEN200® 和 GEN2000® MBE 系统

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